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电子元器件详细资料 » IC[35411] » ZXMN6A09DN8TC
型号:ZXMN6A09DN8TC类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C40 毫欧 @ 8.2A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs24.2nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1407pF @ 40V
功率_最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
深圳市晶美隆科技有限公司李林0755- 82519391 0755-83209630
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